具有步階射極結構之磷化銦鎵/砷化鎵/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體
蔡榮輝
摘 要
本論文主要論述一種具有步階射極結構之磷化銦鎵/砷化鎵/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體。關於此元件將以理論分析描述其能帶及載子分佈。相較於傳統的磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體,本元件在基-射極接面加入一層砷化銦鎵量子井,可有效提升對電洞的侷限效應。實驗的結果顯示其電流增益達220。特別是,由於採用了n型砷化鎵射極與n型砷化銦鎵量子井,可消除基-射極接面之位障尖峰,進而使集-射極之補償電壓低至70 mV。因此,本研究元件極適合於線性放大器及電路應用。
關鍵字:步階射極、異質接面雙極性電晶體、侷限效應、補償電壓、位障尖峰