具有頻帶外終端技術之WiMAX低雜訊放大器設計

吳建銘、楊能凱、曹登揚、李世明

   

    本論文採用砷化鎵(GaAs)擬態高電子移動率電晶體(PHEMT)研製應用於全球互通微波存取(WiMAX)系統之 2.6 GHz 高線性度低雜訊放大器混合式微波積體電路(HMIC)。因為 WiMAX系統選擇頻率範圍為 2.5至 2.69 GHz的美國多點微波分佈式系統(MMDS)頻帶，所以設計WiMAX低雜訊放大器的中心頻率等於2.6 GHz。WiMAX低雜訊放大器利用頻帶外終端技術使輸入端的二次諧波對接地具有低阻抗的特性而予以消除。抑制二階非線性效應之低雜訊放大器可以有效提高線性度。電路實作之重要參數量測結果，雜訊指數(NF)小於 2 dB，增益大於8 dB，輸入 1 dB壓縮點(IP1 dB)等於 0 dBm，輸入三階交越點(IIP3)等於 7.5 dBm，所使用之供應電壓為 1.8 V，消耗功率為 8 mW。

    關鍵字：低雜訊放大器、頻帶外終端、線性化、全球互通微波存取