吳建銘、許琮富

摘 要

   

    本論文採用砷化鎵(GaAs)擬態高電子移動率電晶體(PHEMT)研製應用於全球互通微波存取(WiMAX)系統之2.6 GHz 功率放大器混成微波積體電路(HMIC)。因為WiMAX 系統選擇頻率範圍為2.5 至2.69 GHz 的美國多點微波分佈式系統(MMDS)頻帶，所以設計WiMAX 功率放大器的中心頻率等於2.6 GHz。電路架構採用兩級共源極串接設計，利用中間級(inter-stage) 的阻抗匹配網路，在增益與輸出功率之間達到最佳的取捨(trade-off)，使功率放大器在適當輸出功率之下具有高增益的特性。第一級為小訊號放大器輸入級，使用單一顆電晶體為核心電路；第二級為功率放大器輸出級，為因應電晶體本身額定電流的限制，採用三顆電晶體並聯的形式實現。WiMAX功率放大器在頻率等於2.6 GHz 之重要參數量測結果，包括增益為25 dB，輸出1 dB壓縮點(OP1dB)等於18 dBm，輸出三階交越點(OIP3)為29 dBm以及功率附加效率(PAE)等於5 %，所使用之供應電壓為3.6 V，消耗電流等於282 mA。

    關鍵字：功率放大器、串接、共源極、全球互通微波存取